恒定电流场有源和无源区别
1、电流的来源、磁场和电场的特性。有源区是电流的产生和源头所在的区域，而无源区则是电流源以外的区域。在恒定电流场的有源区内部，由于电流的存在，会产生磁场和电场，在无源区内部则没有电流的存在，因此只会受到有源区内磁场的影响而产生磁场和电场。
2、恒定电场不一定是无源场。例如静电场。只是导体中稳恒电流的电场才是无源场。导电媒质中（电源区域外）恒定电场具有无散（无源）。无源侧重物理，指电场中没有剩余电荷，无散侧重数学，即散度为零，两者意思在这里是一样的。这句话是电流稳恒条件的说明。
3、实际上求解静电场、恒定电流场、恒定磁场问题方法是一致的，只是用不同的量而已。在静电场中引入两个场量，一个电场强度E，一个电通量密度D，其中有E的旋度等于0，D的散度等于那一点的电量密度，就是说静电场是一个有源无旋场。
4、错误。梯度的方向是等势面的法线方向。错误。泊松方程适用于有源区域，拉普拉斯方程适用于无源区域。正确。这里场强与气球表面积成反比。正确。恒定电流满足连续性方程。错误。恒定磁场是一种无散无源场。正确。错误。在理想导体中可以存在恒定磁场。错误。
mos管共用有源区的好处
1、输入电阻大，温度稳定性好。输入电阻大。用普通三极管做成放大电路，共射电路的输入电阻约几KΩ，（一般称之为10^3级），共集电极电路的输入电阻也只能做到几十K欧到一百多K欧（10^5级），而使用结型场效应管（JFET）就可做到输入电阻10^6级，使用MOS管能做到10^8级以上。温度稳定性好。
2、你看这张图片，你就知道了，和你的理解刚好相反。有源导通区应该指饱和区，而线性导通区是非饱和区。
3、不过在集成电路里通道不叫通道，而叫有源区，一个奇怪的名字，不过很好记，我们平时把半导体器件叫做有源器件，电阻电容叫无源器件，三极管是有源器件，因此只要记住和三极管有关的区域叫有源区就可以了。
4、三极管内部结构中有两个具有单向导电性的PN结，因此当然可以用作开关元件，但同时三极管还是一个放大元件，正是它的出现促使了电子技术的飞跃发展。2 三极管的电流放大作用 直流电压源Vcc应大于Vbb，从而使电路满足放大的外部条件：发射结正向偏置，集电极反向偏置。
5、偏置电压不同，管子工作状态不同。还有MOS管，必须在栅极加压，使得沟道反型的情况下，才能工作。否则，源漏不管怎么加压，管子都不工作。像这类依赖外加电源，才能工作的器件叫有源器件。因此，一般情况下，两个端的是无源器件（除二极管外，是有源的），三个及以上的是有源器件。
igbt的输出特性分为三个区域
正向阻断区、有源区和饱和区。IGBT在工作开关状态，主要是在正向阻断区和饱和区之间来回切换，输出特性的三个区域分别为：正向阻断区、有源区和饱和区。绝缘栅双极晶体管（IGBT）结合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性，IGBT也是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。
集电极电流IC与集射极间电压UCE之间关系的曲线。IGBT的输出特性（亦称伏安特性）是指以栅射电压UGE为参变量时，集电极电流IC与集射极间电压UCE之间关系的曲线。输出特性分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。
IGBT通常有三主要区域： N-型区域：这是一个高掺杂的N型半导体区域，通常是硅材料。它在IGBT中充当导电的层。 P-型区域：这是一个P型半导体区域，相对轻掺杂，位于N-型区域中。这一区域的电子和空穴起着控制电流的作用。
这一关系受栅源电压Ugs控制。 IGBT的输出特性分为饱和区、放大区和击穿特性三部分，与GTR的输出特性相似。 在截止状态下，IGBT正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。 加入N+缓冲区后，IGBT的反向关断电压受限，从而限制了其某些应用范围。以上内容参考了百度百科关于IGBT的介绍。
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